中国工程院院士丁荣军:第三代半导体技术未来十年复合增速将超20%_当前视点
【资料图】
每经AI快讯,6月29日,在浙江瑞安召开的2023国际新能源智能网联汽车创新生态大会上,中国工程院院士丁荣军表示,以碳化硅为代表的第三代半导体技术(包括Si-IGBT与SiC二极管相结合的技术)已经开始获得应用,并具有很大的性能及市场潜力,将在未来十年获得高达年复合20%以上的快速增长。(上证报)
每日经济新闻
关键词:
推荐阅读
同花顺数据中心显示,康力电梯6月28日获融资买入918 63万元,占当日买
2023-06-29 09:45:23
信保环球控股(00723)发布截至2023年3月31日止年度业绩,该集团取得收入5
2023-06-29 05:54:04
资讯
品牌
24小时热点